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Imágenes de producto del fabricante y de Amazon.es.
Samsung Con caché DRAM propia
Samsung 990 PRO 1 TB, SSD M.2 2280 PCIe Gen4 ×4 NVMe con caché DRAM propia
El único disco de la categoría que declara caché DRAM propia: 1 TB de Samsung V-NAND TLC a 7.450 MB/s, la lectura más alta entre los discos de 1 TB.
El único disco de la categoría que declara caché DRAM propia, y el de 1 TB más rápido.
Nuestro análisis
Es el único disco de la categoría que declara caché DRAM propia; los demás que publican el dato usan HMB, memoria prestada del sistema. A 7.450 MB/s de lectura y 6.900 de escritura es también el más rápido de los discos de 1 TB.
Es, a la vez, el que peor precio por terabyte tiene entre los discos de 1 TB: la caché DRAM y la velocidad se pagan más por giga que en el Lexar EQ790 o el propio Crucial P310 de la misma capacidad.
Declara 600 TB de resistencia garantizada y cifrado por hardware AES 256 bits con TCG/Opal V2.0 e IEEE 1667, el único de la categoría que declara cifrado. Consume hasta 7,8 W en carga, el máximo declarado de la categoría, y no trae disipador de fábrica: en placas sin uno propio conviene vigilar la temperatura.
El título de Amazon dice «MLC», pero la ficha de Samsung confirma que es V-NAND TLC; y aunque el listado declara 2 años de garantía, la que aplica es la de Samsung, 5 años. Suma 15.315 valoraciones con 4,7 estrellas, compartidas con otras capacidades del 990 PRO. Conviene saber en qué momento se compra: el almacenamiento arrastra la misma subida que la memoria RAM, aunque más suave. Las notas de calidad-precio se calculan contra el precio anterior a esa subida, no contra el de ahora, y por eso solo el WD de 4 TB, con el mejor precio por terabyte del grupo, pasa del 6.
Ideal paraQuien quiera el disco de 1 TB más rápido de la categoría, con caché DRAM propia, y no le importe pagar más por terabyte.
Puntos fuertes y débiles
A favor
- Caché DRAM propia: es el único de la categoría que la declara
- 7.450 MB/s de lectura y 6.900 de escritura, lo más rápido entre los discos de 1 TB
- Cifrado por hardware AES 256 bits con TCG/Opal V2.0 e IEEE 1667, el único de la categoría que declara cifrado
- 600 TB de resistencia garantizada (TBW), el único de los discos de 1 TB que declara esta cifra
En contra
- El peor precio por terabyte entre los discos de 1 TB de la categoría
- 7,8 W de consumo máximo declarado, el más alto de la categoría, y sin disipador de fábrica
Especificaciones completas
Rendimiento declarado
| Lectura secuencial | 7.450 MB/s |
|---|---|
| Escritura secuencial | 6.900 MB/s |
| Lectura aleatoria (4K) | 1.200.000 IOPS |
| Escritura aleatoria (4K) | 1.550.000 IOPS |
| Escritura sostenida tras la caché | — |
Capacidad y formato
| Capacidad | 1.000 GB |
|---|---|
| Formato | M.2 2280 |
| Interfaz | PCIe Gen4 ×4 NVMe |
Controladora y memoria
| Controladora | Controladora propia de Samsung |
|---|---|
| Tipo de memoria | V-NAND TLC |
| Capas de la memoria | — |
| Caché DRAM propia | Sí |
| Memoria prestada del sistema (HMB) | — |
Resistencia y garantía
| Resistencia declarada (TBW) | 600 TB |
|---|---|
| Escrituras diarias admitidas (DWPD) | 0,3 |
| Garantía | 5 años |
Montaje y consumo
| Disipador incluido | No |
|---|---|
| Altura con disipador | — |
| Consumo máximo | 7,8 W |
| Consumo en reposo | 0,1 W |
| Cifrado por hardware | AES 256 bits; TCG/Opal V2.0; IEEE 1667 |
Datos verificados con la ficha oficial del fabricante. Las características que no hemos podido confirmar aparecen como «—».
Qué dicen los compradores
4,7 / 5
15.315 valoraciones en Amazon.es
5 estrellas88%
4 estrellas7%
3 estrellas2%
2 estrellas0%
1 estrella3%
Los compradores valoran la calidad y el rendimiento, con velocidades de lectura y escritura que califican de impresionantes, y consideran que tiene una buena relación calidad-precio. También comentan la temperatura de trabajo, con opiniones diversas sobre la durabilidad y la compatibilidad.
Resumen elaborado a partir de las opiniones publicadas en Amazon.es. No reproducimos reseñas completas ni inventamos ninguna.
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